| 发明名称 | 氮化物单晶生长方法、氮化物半导体发光装置及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种生长氮化物单晶层的方法、以及利用该方法制造发光装置的方法。生长氮化物单晶层的方法包括以下步骤：制备具有晶面(111)的上表面的硅基片；在硅基片的上表面形成具有化学式Si<SUB>x</SUB>Ge<SUB>1－x</SUB>的缓冲层(其中0＜x≤1)；以及在缓冲层上形成氮化物单晶。此外，本发明还披露了一种通过该方法制造的利用该方法的氮化物发光装置、以及制造该氮化物发光装置的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1691283A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200410104180.4 | 申请日期 | 2004.12.30 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 金敏浩;小池正好;咸宪柱 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;彭焱 |
| 主权项 | 1.一种生长氮化物单晶层的方法，包括以下步骤：制备具有晶面(111)的上表面的硅基片；在所述硅基片的所述上表面形成具有化学式SixGe1-x的缓冲层，其中0＜x≤1；以及在所述缓冲层上形成氮化物单晶。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||