| 发明名称 | 一种制造用于低缺陷的半导体元件的衬底晶片的方法、利用该方法获得的元件及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种制造用于低缺陷的半导体元件的衬底晶片的方法。在该方法中，形成一个单晶，它具有与其c－轴垂直的[0001]表面，将所述单晶细分成薄盘，其中至少一个盘表面要被涂覆，使所述至少一个盘表面平滑，以及在超过1770K的温度对至少一个薄盘回火。优选地在具有减小的氧气分压的无尘环境中在超过1770K的温度下回火至少10分钟。Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>是单晶的优选材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1691281A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200510065519.9 | 申请日期 | 2005.03.03 |
| 申请人 | 肖特股份有限公司 | 发明人 | C·戈尔戈尼;B·施佩特;I·克勒;J·甘沙德;P·布劳姆;W·贝尔 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;段晓玲 |
| 主权项 | 1、一种制造用于低缺陷的半导体元件的衬底晶片的方法，所述方法包括以下步骤：a)形成一个单晶，它具有与其c-轴垂直的[0001]表面；b)将所述单晶细分成至少一个薄盘，该盘具有至少一个待涂覆的盘表面；c)使所述至少一个盘表面平滑；以及d)在超过1770K的温度对至少一个薄盘回火。 | ||
| 地址 | 联邦德国美因茨 | ||