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发明名称 GaN based group III-V nitride semi-conductor light emitting diode
摘要
申请公布号 GB2411522(B) 申请公布日期 2005.11.02
申请号 GB20050010128 申请日期 2001.12.17
申请人 * SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD 发明人 JOON-SEOP * KWAK;KYO-YEOL * LEE;JAE-HEE * CHO;SU-HEE * CHAE
分类号 H01L33/00;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01S5/02;H01S5/024;H01S5/042;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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