| 发明名称 | 氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置 | ||
| 摘要 | 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N<SUB>y</SUB>A<SUB>1－y</SUB>表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1692483A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200380100681.9 | 申请日期 | 2003.10.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大塚信之;水野纮一;吉井重雄;铃木朝实良 |
| 分类号 | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01L21/203;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/338 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种异质场效应晶体管，其特征在于，具有：基板、经过缓冲层在所述基板上形成的沟道层、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成且与该沟道层异质接合地形成的间隔层、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层，所述基板由InP构成，所述沟道层具有由化学式GaxIn1-xNyA1-y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的化合物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||