发明名称 描绘图形、抗蚀剂图形的形成方法和曝光装置控制方法
摘要 本发明的课题在于提供一种形成于光掩模上的掩模图形的描绘图形的形成方法,以便针对形成抗蚀剂膜的局部的区域液膜,进行曝光的液浸曝光,提高所形成的抗蚀剂图形的精度。求出上述单位曝光区域的抗蚀剂膜和液膜的接触履历值的代表性的分布(步骤ST12)。将与第1图形数据相对应的图形划分为与上述接触履历值的代表性的分布相对应的多个区域(步骤ST19)。根据与上述接触履历值相对应的规则,对已划分的各区域中包括的图形进行处理(步骤ST20)。
申请公布号 CN1690862A 申请公布日期 2005.11.02
申请号 CN200510066018.2 申请日期 2005.04.19
申请人 株式会社东芝 发明人 河村大辅;伊藤信一
分类号 G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1.一种描绘图形的形成方法,在该方法中,根据图形数据,形成用于在曝光装置中所使用的光掩模上描绘上述掩模图形的描绘图形数据,该曝光装置包括投影光学系统,该投影光学系统用于将掩模图形复制到形成于基板上的抗蚀剂膜上而形成潜像;液浸机构,该液浸机构在包括上述投影光学系统和上述抗蚀剂膜之间的局部的区域,形成液膜;移动机构,该移动机构相对上述投影光学系统和上述液浸机构,使上述基板移动,以便在设定在上述抗蚀剂膜上的多个单位曝光区域的各个区域,复制上述掩模图形,其特征在于包括下述步骤:求出上述单位曝光区域的上述抗蚀剂膜与上述液膜的接触履历值的代表性的分布的步骤;将与上述图形数据相对应的图形划分为与上述接触履历值的代表性的分布相对应的多个区域的步骤;根据与上述接触履历值相对应的规则,对包含于所划分的各区域中的图形进行修正的步骤。
地址 日本东京都