| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种Cu线以及形成该Cu线的方法，用该方法，通过用HfO<SUB>x</SUB>代替SiN可以提高可靠性(例如EM、BTS等)，HfO<SUB>x</SUB>在Cu线上起保护层和/或蚀刻停止层的作用，防止或抑制由于Cu氧化物产生的电蚀，并且通过从－OH、O<SUB>2</SUB>和H<SUB>2</SUB>O中聚集或清除氧原子抑制或减少另外形成Cu氧化物。本方法包括以下步骤：在衬底上的绝缘层中形成沟槽，在沟槽中形成平坦化的Cu层，在平坦化的Cu层上形成HfO<SUB>x</SUB>层，和热处理衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN1691307A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200410097100.7 | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 金正周 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/321;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上的绝缘层中形成沟槽图案；在沟槽图案中形成平坦化的Cu层；在平坦化的Cu层上形成包含HfOx的保护层；和热处理所述衬底。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||