半导体太赫兹相干光源器件

摘要

本发明公开了一种半导体太赫兹相干光源器件，它是利用耦合量子阱结构将量子阱激光器输出的激光转换成太赫兹辐射源。器件包括：激发功能块和发光功能块二部分。其特征是：激发功能块选用工艺上已非常成熟的GaAs/AlGaAs量子阱激光器，发光功能块为GaAs/InGaAs耦合量子阱结构。二大功能块通过分子束外延集成为一体。本发明的器件的最大优点是：由于激发部分和发光部分是通过薄膜技术集成为一体，因此，激发部分的出射激光将被有效地耦合到发光部分，这样发光效率实际上是内量子效率，大大提高了激发光的效率。而且它的制备工艺十分简单且成熟。器件达到了小型化，使用方便的目的。

主权项

1.一种半导体THz辐射源器件包括：激发功能块(1)和发光功能块(2)二部分，其特征在于：激发功能块(1)为840nm-850nm波段的GaAs/AlGaAs量子阱激光器，并在其与出射光相垂直的二侧蒸镀金属层(101)；发光功能块(2)为GaAs/InXGa1-XAs耦合量子阱结构，二大功能块通过分子束外延集成为一体；所说的GaAs/InXGa1-XAs耦合量子阱是依次由厚度为30nm的GaAs、厚度为9.0～30.0nm的InXGa1-XAs、厚度为5.0～15.0nm的GaAs和厚度为5.5～14.0nm的InXGa1-XAs为一个周期，重复30个周期组成的，其中In的组份为0.16～0.31。