| 发明名称 | 嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法，该方法包括如下步骤，1)首先对要生长隧穿氧化层的硅片进行清洗；2)然后利用干法刻蚀机，在干法刻蚀机上进行氟化处理；3)处理完后，对硅片先进行常规的清洗，然后再在异丙醇清洗液中清洗1分钟；4)把硅片送入高温氧化炉处理，这样具有低的隧穿势垒的隧穿氧化层就制备完成了。 | ||
| 申请公布号 | CN1225772C | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN02120379.2 | 申请日期 | 2002.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 欧文;钱鹤 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤，1)首先对要生长隧穿氧化层的硅片进行清洗，所使用的清洗液是1号清洗液和2号清洗液；2)然后利用干法刻蚀机，在干法刻蚀机上进行氟化处理，所述的在干法刻蚀机氟化处理，是在500mTorr压力下，通100SCCM CF4气体流量，干法刻蚀机的功率为10W、时间为1-2分钟；3)处理完后，对硅片先进行常规的清洗，然后再在异丙醇清洗液中清洗1分钟；4)把硅片送入高温氧化炉处理，所述的高温氧化炉处理，其是在850℃下进行5分钟的氧化，然后再在850℃，氧化氮氛围中进行5分钟的氮化，经20分钟退火后取出，这样具有低的隧穿势垒的隧穿氧化层就制备完成了。 | ||
| 地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子 | ||