发明名称 具有Si-H基的直线型有机聚硅氧烷的制造方法
摘要 本发明提供一种制造具有二有机硅氧单元和Si-H基的直线型有机聚硅氧烷(P)的方法,其中在第一步中,二有机二氯硅烷(A)和一氯硅烷(B)以及需要时的二氯硅烷(C),其中至少一氯硅烷(B)或二氯硅烷(C)含有Si-H基,与每摩尔可水解的氯最多0.5摩尔的水反应,生成部分水解产物(T)和气态氯化氢,以及在第二步中,用水处理部分水解产物(T)以去除其仍具有的SiCl基而形成盐酸,并制得含有有机聚硅氧烷(P)的水解产物(H)。
申请公布号 CN1690104A 申请公布日期 2005.11.02
申请号 CN200510066648.X 申请日期 2005.04.21
申请人 瓦克化学有限公司 发明人 吉尔贝特·盖斯贝格尔;塔西洛·林德纳;弗兰克·博伊曼
分类号 C08G77/50 主分类号 C08G77/50
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 过晓东
主权项 1、一种制造具有二有机基甲硅烷氧基单元和Si-H基的直线型有机聚硅氧烷(P)的方法,其中在第一步中,二有机基二氯硅烷(A)和一氯硅烷(B)以及需要时的二氯硅烷(C),其中至少一氯硅烷(B)或二氯硅烷(C)含有Si-H基,与每摩尔可水解的氯最多0.5摩尔的水反应,生成部分水解产物(T)和气态氯化氢,以及在第二步中,用水处理部分水解产物(T)以去除其仍具有的SiCl基而形成盐酸,并制得含有有机聚硅氧烷(P)的水解产物(H)。
地址 联邦德国慕尼黑