| 发明名称 | 场发射器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场发射器件。所提供的场发射器件包括形成在阴极电极上并包括碳纳米管(CNT)的发射极，以及从发射极引出电子的栅极电极。另外，RuOx层或PdOx层涂覆在发射极表面上，从而保护CNT并稳定来自CNT的发射。在所提供的场发射器件中，用于稳定发射结构并保护发射端的稳定剂层涂覆在CNT发射极的表面上或CNT的表面上，更具体地即CNT的发射端上，从而防止由过电流或发射过程导致的CNT的磨损。因此，CNT的寿命提高，从而改善了场发射器件的可靠性和场发射器件的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN1691243A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200510068928.4 | 申请日期 | 2005.04.27 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 李晶姬;郑太远;金元锡;李常贤;李玹姃;许廷娜 |
| 分类号 | H01J1/304;H01J9/02;H01J31/12 | 主分类号 | H01J1/304 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种场发射器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的阴极电极；形成在所述阴极电极上并包括碳纳米管(CNT)的发射极；以及从所述发射极引出电子的栅极电极，其中保护所述CNT并稳定来自所述CNT的发射的稳定剂层形成在所述发射极上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||