| 发明名称 | 半导体器件基底及其制造方法及半导体封装件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件基底具有小间距的细小端点并且能够容易地以低廉费用生产而不需要使用特殊过程。一个安装端具有棱锥形状并且延伸于硅基底的前表面和背面之间。该安装端的一端自硅基底的背面伸出。一层布线层被形成于在硅基底的前表面上。该布线层包括一层电气上连至安装端的导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1225783C | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN02147180.0 | 申请日期 | 2002.10.25 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 米田义之;南泽正荣;渡边英二;佐藤光孝 |
| 分类号 | H01L23/12;H01L21/48 | 主分类号 | H01L23/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件基底，包括：一个具有一个第一表面和一个与第一表面相反的第二表面的硅基底；至少一个具有棱锥形状并且延伸于所述第一和第二表面之间的安装端，所述安装端的尖端部分自所述第一和第二表面中的一个伸出，一层由氧化硅薄膜形成的绝缘膜被插入于所述安装端与所述硅基底之间；及一层在所述硅基底的所述第一表面上形成的布线层，所述布线层包括电连接至所述安装端的一个导电层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||