发明名称 用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜
摘要 本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜,包括底层、磁性层和顶层,所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜,读出层的元素组成为:轻稀土元素12%-18%;重稀土元素:8%-15%;过渡金属元素:68%-80%;写入层的元素组成为:轻稀土元素:7%-17%;重稀土元素:25%-33%;过渡金属元素:50%-68%。由于重稀土元素的饱和磁化强度Ms较小,而轻稀土元素以及过渡金属元素的Ms较大,采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构,在溅射制膜的过程中,调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例,可以获得饱和磁化强度M<SUB>s</SUB>大,磁各向异性常数K<SUB>u</SUB>以及矫顽力H<SUB>c</SUB>都比较高的磁化膜,能满足光磁混合记录介质所需的大的剩余磁化强度和高的热稳定性的要求。
申请公布号 CN1225729C 申请公布日期 2005.11.02
申请号 CN03128025.0 申请日期 2003.05.23
申请人 华中科技大学 发明人 李佐宜;黄致新;林更琪;李震
分类号 G11B5/66 主分类号 G11B5/66
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 曹葆青
主权项 1、一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜,包括底层、磁性层和顶层,所述磁性层为轻稀土-重稀土-过渡金属双层耦合膜,该双层耦合膜是由读出层和写入层构成,读出层的元素组成为:轻稀土元素:12%-18%;重稀土元素:8%-15%;过渡金属元素:68%-80%;写入层的元素组成为:轻稀土元素:7%-17%;重稀土元素:25%-33%;过渡金属元素:50%-68%。
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