| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底(1、30、60)中形成沟槽(4、31、61)；并且在包括沟槽(4、31、61)的侧壁和底部的衬底(1、30、60)上形成外延膜(5、32、62－64、66－78)，从而将外延膜(5、32、62－64、66－78)填充在沟槽(4、31、61)中。形成外延膜(5、32、62－64、66－78)的步骤包括在用外延膜(5、32、62－64、66－78)填充沟槽(4、31、61)之前的最后步骤。所述最后步骤具有按照如下方式的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)的成形条件：将要形成在沟槽(4、31、61)侧壁上的外延膜(5、32、63、68、71、74、77)在沟槽(4、31、61)开口处的生长速度小于在比沟槽(4、31、61)开口位置深的沟槽(4、31、61)位置处的生长速度。 | ||
| 申请公布号 | CN1691284A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200510060074.5 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 株式会社电装;三菱住友硅晶株式会社 | 发明人 | 山内庄一;山口仁;牧野友厚;野上彰二;山冈智则 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底(1、30、60)中形成沟槽(4、31、61)；并且在包括该沟槽(4、31、61)的侧壁和底部的衬底(1、30、60)上形成外延膜(5、32、62-64、66-78)，从而将该外延膜(5、32、62-64、66-78)填充在该沟槽(4、31、61)中，其中形成该外延膜(5、32、62-64、66-78)的步骤包括在用该外延膜(5、32、62-64、66-78)填充该沟槽(4、31、61)之前的一个最后步骤，并且所述最后步骤具有按照如下方式的该外延膜(5、32、63、68、71、74、77)的成形条件：将要形成在该沟槽(4、31、61)侧壁上的该外延膜(5、32、63、68、71、74、77)在该沟槽(4、31、61)开口处的生长速度小于在比该沟槽(4、31、61)开口位置深的沟槽(4、31、61)位置处的生长速度。 | ||
| 地址 | 日本爱知 | ||