一种掩膜式只读存储器工艺与元件

摘要

本发明提供掩膜式只读存储器集成电路元件的一种制造方法，可降低源极区和沟道区之间，会造成程序误读的击穿效应。本方法包括实施一植入工艺在半导体衬底上形成阱区，并透过第一个图案化光掩膜形成多个掩埋式植入区。该第一个图案化光掩膜是在该半导体衬底上方形成。每个掩埋式植入区均包括个别存储单元区域的一个源极区和一个漏极区。存储单元区域属于多个存储单元区域之一。本方法并在每个存储单元区域的沟道区内的掩埋式植入区附近形成口袋区。第一口袋区定义为介于沟道区与源极区之间，而第二口袋区则定义为介于沟道区与漏极区之间。本方法包括利用植入法为部分选定的沟道区编写程序，以完成部分选定的存储单元区域的程序化。

主权项

1、一种制造掩膜式只读存储器集成电路元件的方法，可降低源极区与源极区之间会造成程序误读的击穿效应，包含下列步骤：实施一植入工艺在半导体衬底上形成阱区，其中该衬底属于P型特征的材料，该阱区为P型材料；藉由第一个图案化光掩膜形成多个掩埋式植入区，所述掩埋式植入区为N型植入；第一个图案化光掩膜形成于半导体衬底上方，而包含一个源极区和一个漏极区在内的掩埋式植入区则形成于个别存储单元区域的沟道区间；共有多个存储单元区域；在每个存储单元区域的沟道区内的掩埋式植入区附近形成口袋区，其中包括第一口袋区定义为介于沟道区和源极区之间，以及第二口袋区定义为介于每个存储单元区域的沟道区和漏极区之间，口袋区是在同一光掩膜工艺时，根据相对于掩埋式植入区的相反导电类型的掺质杂质被定义为掩埋式植入区；及实施植入法为个别存储单元区域的部分沟道区编写程序，以完成部分存储单元区域的程序化。