| 发明名称 | 磁记录介质和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 一种磁记录介质，包括：一个或多个底层；设置在所述一个或多个底层之上的具有饱和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性层；提供在所述第一磁性层上的第一非磁性层；提供在所述第一非磁性层上的第二磁性层，它具有饱和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性层上的第二非磁性层；和提供在所述第二非磁性层上的第三磁性层，它具有饱和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性层在没有外部磁场施加到磁记录介质上的状态具有交替反平行的磁化方向，其中Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)；并且其中关系t2＜t1和t2＜t3成立，其中t1、t2和t3分别表示所述第一、第二和第三磁性层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1225728C | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN02146828.1 | 申请日期 | 2002.10.14 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 冈本巌 |
| 分类号 | G11B5/66;H01F10/14;H01F10/16 | 主分类号 | G11B5/66 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：一个或多个底层；设置在所述一个或多个底层之上的具有饱和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性层；提供在所述第一磁性层上的第一非磁性层；提供在所述第一非磁性层上的第二磁性层，它具有饱和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性层上的第二非磁性层；和提供在所述第二非磁性层上的第三磁性层，它具有饱和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性层在没有外部磁场施加到磁记录介质上的状态具有交替反平行的磁化方向，其中Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)；并且其中关系t2＜t1和t2＜t3成立，其中t1、t2和t3分别表示所述第一、第二和第三磁性层的厚度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||