| 发明名称 | 具有双极型晶体管的高频功率放大器 | ||
| 摘要 | 一种双极型晶体管，在镇流电阻小时仍具有良好电流分布均匀性，并且可以构成具有高效、低失真而且即使在对其输入数字调制波时失真恶化仍小的放大器。根据本发明的高频功率放大器，包括：在一个单块集成电路中的多个晶体管块，各所述晶体管块具有一个双极型晶体管；其中各所述晶体管块进一步包括：基准电压产生电路，被配置为用于根据各所述晶体管块的温度独立地产生作为所述双极型晶体管基极偏置的基准电压；偏置产生电路，被连接到所述双极型晶体管的基极，所述偏置产生电路通过转换所述基准电压产生基极偏置电压；以及电容器装置，用于进行高频输入，所述电容器装置被连接到所述双极型晶体管的基极。 | ||
| 申请公布号 | CN1225834C | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN01111800.8 | 申请日期 | 2001.03.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 森冢宏平 |
| 分类号 | H03F3/21;H03F1/30 | 主分类号 | H03F3/21 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1.一种高频功率放大器，包括：在一个单块集成电路中的多个晶体管块，各所述晶体管块具有一个双极型晶体管；其中各所述晶体管块进一步包括：基准电压产生电路，被配置为用于根据各所述晶体管块的温度独立地产生作为所述双极型晶体管基极偏置的基准电压；偏置产生电路，被连接到所述双极型晶体管的基极，所述偏置产生电路通过转换所述基准电压产生基极偏置电压；以及电容器装置，用于进行高频输入，所述电容器装置被连接到所述双极型晶体管的基极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||