| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其可抑制当执行浅槽隔离工艺时，由于产生的有源槽沟(active moat)而增加的漏电流者，包括：藉由使用一可提供一微小隔离间距的浅槽隔离工艺来形成的隔离层；以及，多个通过由隔离层所定义的有源区的栅极，其中至少一栅极包含一形成在邻接于在有源区与隔离层之间的边界的栅极的横侧面的副栅极，其中副栅极有一较栅极的其余部分为长的长度。而副栅极的长度可选择性地为栅极的其余部分长度的两倍者。 | ||
| 申请公布号 | CN1691305A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200410056267.9 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李佳媛 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/28;H01L21/8234;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：藉由使用一可提供一微小隔离间距的浅槽隔离工艺来形成的隔离层；以及，多个穿过由隔离层所定义的有源区的栅极，其中至少一栅极包含一形成在邻接于在有源区与隔离层之间的边界的栅极的横侧面的副栅极，其中副栅极有一较栅极的其余部份更长的长度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||