| 发明名称 | 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置 | ||
| 摘要 | 在活性层用晶片的表面或支持基片用晶片的贴合面形成多个深度不同的凹部。将它们隔着绝缘膜贴合。由此可埋置尺寸精度高的空腔。可在基片平面内的多个位置同时形成多个空腔，并可任意设定SOI层的厚度。从而，能够容易制造出在同一个芯片上混装了MOS型元件和双极元件的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1692488A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200380100235.8 | 申请日期 | 2003.10.22 |
| 申请人 | 三菱住友硅晶株式会社 | 发明人 | 足立尚志;中前正彦 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L27/04;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种贴合绝缘体基外延硅基片，它由形成器件的绝缘体基外延硅层和支持该绝缘体基外延硅层的支持基片用晶片隔着绝缘层贴合而成，其中：所述绝缘层含有空腔。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||