发明名称 | 测量磁电阻元件中磁致伸缩的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种直接测量磁电阻元件的所述磁致伸缩常数的方法。所述方法包括以下步骤:1)提供基底,它承载着一个或多个磁电阻元件;2)把所述基底插入弯曲夹具中;3)施加平行于所述基底的DC磁场;4)施加交变磁场,它垂直于所述基底并且平行于所述元件的磁电阻层;5)测量所述元件发出的信号;6)通过弯曲所述基底施加平行于所述基底的机械应力;以及7)改变所述DC磁场,直至达到施加所述机械应力之前测量出的信号。 | ||
申请公布号 | CN1692286A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
申请号 | CN200380100607.7 | 申请日期 | 2003.10.17 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 休伯特·格里姆 |
分类号 | G01R33/18 | 主分类号 | G01R33/18 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.一种直接测量磁电阻元件的磁致伸缩常数的方法,其特征在于以下步骤:提供基底,它承载着一个或多个磁电阻元件;把所述基底插入弯曲夹具中;施加平行于所述基底的DC磁场;施加交变磁场,它垂直于所述基底并且平行于所述元件的磁电阻层;测量所述元件发出的信号;通过弯曲所述基底施加平行于所述基底的机械应力;以及改变所述DC磁场,直至达到施加所述机械应力之前测量出的信号。 | ||
地址 | 美国纽约 |