发明名称 | 具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构,其揭示利用一具有凹及/或凸的基板、该发光二极管具有织状纹路表面以及于该发光二极管之上具有一导电透光窗户层,使该发光二极管具有降低工作电压以及增进其光萃取效率。 | ||
申请公布号 | CN2738399Y | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
申请号 | CN200420089267.4 | 申请日期 | 2004.09.27 |
申请人 | 炬鑫科技股份有限公司 | 发明人 | 赖穆人;杨师明;詹其峰;洪详竣;黄振斌;孙雪峰 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董惠石 |
主权项 | 1.一种具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构,其特征是,其包括:一具有凹或/及凸部表面的基板;一半导体堆叠层,位于该基板的上方,由下而上依序包含一第一导电型氮化镓系层、一发光层、一第二导电型氮化镓系层;一织状纹路层,于磊晶成长过程中形成且位于该第二导电型氮化镓系层的上方;一导电透光窗户层,位于该织状纹路层上方,并与该织状纹路层形成欧姆接触;一第一电极,其与该半导体堆叠层中的第一导电型氮化镓系层电性耦合;及一第二电极,与该导电透光窗户层电性耦合。 | ||
地址 | 台湾省桃园县 |