| 摘要 |
本发明之内容系一种矽绝缘体晶圆，其中包括：一载体晶圆及一厚度低于500奈米之单晶矽层，该矽层之整个体内具有过多之晶隙矽原子。本发明之另一内容系一种用以制造该型矽绝缘体晶圆之方法，该方法包括下列诸步骤：–藉左科拉斯基坩埚拉晶法制造一矽单晶体，整个晶体横断面之结晶锋面处符合V／G＜(V／G)临界＝1.3×10^–3平方公分／(绝对温度×分钟)之条件，结果在所制矽单晶体内造成晶隙矽原子过多现象，–自该矽单晶体分出至少一个施体晶圆，–将该施体晶圆黏合在一载体晶圆上，及–将该施体晶圆之厚度减薄，结果厚度低于500奈米之矽层与载体晶圆仍黏合在一起。 |
