| 发明名称 |
于半导体装置制造中减少浅沟隔离(STI)凹陷区( DIVOT)形成之方法 |
| 摘要 |
藉由使用非常薄之氮化物研磨终止层(52)，例如，厚度不超过400埃()，而消除或实质上减少浅沟隔离(STI)凹陷区(divot)之形成。非常薄之氮化物研磨终止层(52)于后续遮罩、植入和清除步骤期间保持于位置上，以形成掺杂区域(80)，并于闸极氧化物(101)与闸极电极(100)形成前，去除该非常薄之氮化物研磨终止层(52)。 |
| 申请公布号 |
TW200535945 |
申请公布日期 |
2005.11.01 |
| 申请号 |
TW094106204 |
申请日期 |
2005.03.02 |
| 申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
柏瑟;葛罗斯乔夫 乔安斯;达克希那-莫西 希卡堤思华拉;SRIKANTESWARA;皮尔林;奇克 |
| 分类号 |
H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
