形成半导体元件之接触插头之方法

摘要

在一个形成半导体元件之接触插头之方法中。磊晶矽系被形成以当作使用固态磊晶法之接触材料。与使用多晶矽当作接触材料的先前技艺比较起来，这个方法可获得减低的接触电阻与增进的再新特性。此外，这个方法使用了SPE法，而不是知的SEG法，来形成磊晶矽，所以其能够实质透过低温制程来减低热预算。本方法亦能够使用知的多晶矽沈积制程而不用修改即可简单且多产的形成磊晶矽。