| 摘要 |
本发明提供一种制造复合层的方法，以消除光罩上的电路图案之预定宽度与实际的特征宽度之间的差异，或是使差异最小化，而此种差异主要是由制造微影光罩产生的曝光后时间延迟效应所造成。本发明之方法包括提供具有金属层之光罩基底，接着在光罩基底的金属层上形成光阻层，随后在光阻层形成保护层，并且利用电子束曝光法在电路图案的光阻层进行光刻步骤。在后续的曝光后时间延迟周期内，保护层用于避免因为光刻光阻的Q–时间所造成的窄化效应或是使其最小化。因此依据光刻光阻层的宽度可使金属层上蚀刻形成的电路图案之特征尺寸的窄化效应减至最小或是完全消失。 |
