半导体装置之自动对准触点之形成方法

摘要

一种半导体装置之自动对准触点之形成方法，包含：在预先设有复数个场效电晶体结构之半导体基板上，沿着闸极结构及接面区域轮廓形成一含有氮化物之第一绝缘层；于第一绝缘层上，形成一含有掺杂氧化物之暂时层；利用对氧化物具有选择性之蚀刻，并利用一光罩移除暂时层之未覆盖光罩之部份，且留下暂时层位于接面区域上方之一栓状部分；于暂时层被移除部分之区域中，形成一含有未掺杂氧化物之第二绝缘层；利用对未掺杂氧化物具有选择性之蚀刻移除栓状部分，形成一触点孔；移除第一绝缘层位于触点孔内之部分；最后，于触点孔形成一导电触点。