以氧碳化矽和氮碳化矽为基本组成材料之MOS元件SILICON OXYCARBIDE AND SILICON CARBONITRIDE BASED MATERIALS FOR MOS DEVICES

摘要

本发明之较佳实施例中揭露，在基材上形成闸介电层和闸电极。接着沿着闸介电层和闸电极两侧形成一对间隙壁，间隙壁之较佳之基本组成材质为SiCO或SiCN。接着形成源极和汲极。在源极／汲极及间隙壁区域形成接触窗蚀刻阻绝层(CES)，CES层较佳之基本组成材质为SiCO或SiCN。接着形成层间介电层(ILD)在CES层上。