发明名称 用于感测半导体制程系统中氟或卤素物质之镀镍独立式碳化矽结构,暨其制造及使用方法
摘要 一种于含有含氟物质之气体,例如使用氟化氢(HF)、氟化氮(NF3)等进行蚀刻清洗之半导体制程工具之排放物,检测含氟物质之以微机电系统(MEMS)为主之气体感测器总成。较佳具体例中,此种气体感测器总成包含一独立式碳化矽支持体结构,该支持体结构具有一层气体感测材料较佳为镍或镍合金镀覆于其上。此种气体感测器总成较佳系经由采用牺牲模具之微模制技术制造,该牺牲模具随后被去除,用以形成结构层。
申请公布号 TW200535916 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW094105018 申请日期 2005.02.21
申请人 尖端科技材料公司 发明人 陈世辉;陈英欣;小佛兰克 迪梅欧;杰佛里 纽纳;詹姆士 威尔奇
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 美国