发明名称 |
用于感测半导体制程系统中氟或卤素物质之镀镍独立式碳化矽结构,暨其制造及使用方法 |
摘要 |
一种于含有含氟物质之气体,例如使用氟化氢(HF)、氟化氮(NF3)等进行蚀刻清洗之半导体制程工具之排放物,检测含氟物质之以微机电系统(MEMS)为主之气体感测器总成。较佳具体例中,此种气体感测器总成包含一独立式碳化矽支持体结构,该支持体结构具有一层气体感测材料较佳为镍或镍合金镀覆于其上。此种气体感测器总成较佳系经由采用牺牲模具之微模制技术制造,该牺牲模具随后被去除,用以形成结构层。 |
申请公布号 |
TW200535916 |
申请公布日期 |
2005.11.01 |
申请号 |
TW094105018 |
申请日期 |
2005.02.21 |
申请人 |
尖端科技材料公司 |
发明人 |
陈世辉;陈英欣;小佛兰克 迪梅欧;杰佛里 纽纳;詹姆士 威尔奇 |
分类号 |
H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
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地址 |
美国 |