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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本发明提供一种具有贯通电极之半导体装置,而将贯通电极作为电极与制造稳定性将具有极佳的性能。在一半导体装置之上设置一贯通电极,其由一小直径之导电栓塞与一大直径之导电栓塞所构成。使小直径之栓塞的横剖面面积大于一连接栓塞之横剖面面积及其直径,且使小直径之栓塞的横剖面面积小于大直径之栓塞之横剖面面积及其直径。此外,在小直径之栓塞突出于矽基板的状态下所形成的一突出部系插入直径之栓塞的上表面之中。又,小直径之栓塞的上表面系连接至一第一互连构造。
申请公布号
TW200535977
申请公布日期
2005.11.01
申请号
TW094110013
申请日期
2005.03.30
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
川野连也
分类号
H01L21/02
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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