| 摘要 |
本发明提供一种半导体设备，在同一基底上设有至少一组埋入式通道类型的第一导电类型MOS电晶体与表面式通道类型的第一导电类型MOS电晶体，其中第一导电类型杂质区域设于该埋入式通道类型与该表面式通道类型MOS电晶体的一闸电极之下方，且在源极和汲极区域之间。此外，本发明提供一种固态影像撷取装置，包含多数电晶体与一光电转换部分的一像素，该些电晶体对应至该光电转换部分而形成在一基底上，其中该些电晶体包含一埋入式通道类型的第一导电类型MOS电晶体，以及一表面式通道类型的第一导电类型MOS电晶体，并且第一导电类型杂质区域设于该埋入式通道类型与该表面式通道类型MOS电晶体的一闸电极之下方，且在源极和汲极区域之间。 |
