使用多窄区布局以加强应变元件效能

摘要

一种具有高拉伸应力的半导体元件。该半导体元件包含具有源极区与汲极区的基材。每一个源极区及汲极区分别包括复数个分离的源极区与汲极区。浅沟隔离(STI)区形成在源极区之两分离之源极区段间以及汲极区之两分离之汲极区段间。一闸堆叠形成在基材上。一拉伸诱发层形成在基材上。该拉伸诱发层覆盖STI区、源极区、汲极区及闸堆叠。该拉伸诱发层是能在基材内造成拉伸应力的绝缘层。