非挥发性记忆体写入过程的位元开关压降补偿

摘要

一种控管供应电压的方法，藉以在半导体记忆体装置内提供位元线电压，其中位元线电压系在通过位元开关之后，被供应给隶属于位元线的记忆体晶胞。该方法会侦测提供给记忆体晶胞的位元线电流。供应电压会随侦测到的位元线电流调整，以至少补偿一部份通过位元开关的压降，而此压降至少有部分受到位元线电流影响。