连线中介层洞缺陷之高效能测量

摘要

在包含一或多数导孔的导电结构上施加热，并量测在热施加点或接近热施加点之温度。所量测得之温度表示导电结构中接近热施加点之各种特性(例如导孔及／或沟渠)的整体性或缺陷。明确地说，一较高温度量测(相较于参考结构中之量测值)表示由热施加点处开始的热传递下降，因此，表示有一缺陷。该参考结构可为同一晶粒中之导电结构(例如，提供一基准线)或在同一晶圆上但在该晶粒外(例如，在测试结构中)，或在晶圆外(例如，参考晶圆中)，视实施例而定。