发明名称 薄膜光电变换装置之制造方法
摘要 本发明之目的系于包含结晶矽光电变换单元之薄膜光电变换装置之制造方法,该结晶矽光电变换单元系含有由氧化矽构成之层作为导电型层或中间反射层者,提供一种不降低光电变换层之膜质而可改善生产成本及生产效率者。本发明之薄膜光电变换装置之制造方法的特征为其为包含氧化矽层及结晶矽光电变换层之薄膜光电变换装置的制造方法,且将上述氧化矽层及上述结晶矽光电变换层在同一个反应室内以电浆CVD法形成,因此在制造比较厚之结晶矽光电变换层的上述反应室内沈积之矽膜在上述反应室内之剥离受到抑制,不招致结晶矽光电变换层之膜质降低,可稳定地以低成本制造出高性能的薄膜光电变换装置。
申请公布号 TW200536136 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW094107582 申请日期 2005.03.11
申请人 钟化股份有限公司 发明人 末崎恭;福田丞;山本宪治
分类号 H01L31/04 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本