制造半导体元件的方法

摘要

一种制造半导体元件之方法，用以减低在金属接线之间因元件的高积体化而产生的耦合杂讯。此方法包含了以下这些步骤：形成数个彼此相距一预定间距，并置于有着预定下层的半导体基版上的金属导线；在整个半导体基版表面形成绝缘中介层，以之覆盖金属导线；以及，以植入离子方式将导电性杂质植入介于金属导线间的绝缘中介层的两个边缘层，这两个边缘层的导电性杂质的电性互相相反，所以可以减少因施加外部电场而在介电质中所产生的内部电子。