发明名称 凸块制程
摘要 一种凸块制程,系于配置有多个接点之一基板上形成一具有多个第一开口之第一光阻层,每个第一开口分别暴露一个接点。接着在每个第一开口中形成一第一焊料块并对其进行回焊,以于每个接点上分别形成一核心凸块。接着在第一光阻层上形成一具有多个第二开口之第二光阻层,每个第二开口分别暴露一个核心凸块。接着在每个第二开口中形成一第二焊料块并对其进行回焊,以于每一个核心凸块外形成一个外层凸块。其中,第二焊料块之熔点系以低于第一焊料块之熔点为佳,或者两个焊料块在回焊后亦可熔合为一体。焊料块亦可于第二光阻层形成后一次填入。
申请公布号 TW200536029 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW093111707 申请日期 2004.04.27
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 吴政达
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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