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发明名称
研磨液及其制造方法以及基底的研磨方法
摘要
本发明是关于一种研磨液及其制造方法以及基底的研磨方法。本文描述的是一种化学机械研磨液。此种研磨液中的研磨粒子,其粒度分布曲线具有分别独立的小颗粒区与大颗粒区,且其粒度均值为50–150奈米。本发明所述的研磨液具有优化的粒度,其粒度可以透过改变生产条件控制,这对研磨具有精细设计要求的半导体非常有用。本发明还提出了一种研磨液及其制造方法,采用这种研磨液时,可以透过控制其研磨粒子粒度分布曲线来保证化学机械研磨的精度和减少表面划痕数量。本发明还提供了一种研磨基底的方法。
申请公布号
TW200535216
申请公布日期
2005.11.01
申请号
TW094107443
申请日期
2005.03.11
申请人
K. C. 科技股份有限公司;汉阳大学校 产学协力团
发明人
金大亨;洪锡敏;全宰贤;金性;朴炫洙;白云揆;朴在勤;金容国
分类号
C09K3/14
主分类号
C09K3/14
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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