发明名称 嵌埋式晶片之应力消除方法及其嵌埋结构
摘要 一种嵌埋式晶片之应力消除方法及其嵌埋结构,主要系在将半导体晶片嵌埋入电路板结构前,先将半导体晶片进行倒角制程,于后续将半导体晶片埋入电路板结构,使晶片与电路板结构间填注有填充材时,得以降低半导体晶片边角所产生之高应力问题。
申请公布号 TW200536070 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW093111685 申请日期 2004.04.27
申请人 全懋精密科技股份有限公司 发明人 胡竹青;连仲城;陈祈铭;杨胜翔;周孟达
分类号 H01L23/18 主分类号 H01L23/18
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项
地址 新竹市科学园区力行路6号