| 主权项 |
1.一种发光装置,包括:一发光半导体装置;以及一发光粉粒层,位于该发光半导体装置所放出的光径上,其中该发光粉粒层之至少一部份系凝结成块且不含黏着剂。2.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该发光粉粒层包括复数发光粉粒,且该些发光粉粒系藉相互分子吸引力凝结成块。3.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该黏着剂包括树脂、有机聚合物、固化物或玻璃胶。4.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其更包括一第一保护层,用以至少覆盖该发光粉粒层上表面。5.如申请专利范围第4项所述之发光装置,其更包括一第二保护层,用以至少覆盖该第一保护层及该发光粉粒层。6.如申请专利范围第5项所述之发光装置,其中该第二保护层之厚度厚于该第一保护层。7.如申请专利范围第2项所述之发光装置,其中该些发光粉粒包括萤光粉。8.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中上述发光粉粒层系附着于该发光半导体装置表面。9.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中上述发光半导体装置包含有一基底、复数之半导体层形成于该基底上,及一导电层形成于该复数之半导体层上;其中,上述发光粉粒层系附着于上述基底、上述复数层半导体层或上述导电层之其中一表面。10.如申请专利范围第9项所述之发光装置,其中该导电层为透明导电材料构成。11.一种发光装置之封装结构,包括:一对电极;一导线架,与该对电极形成电接触;一如申请专利范围第1至10项任一项所述之发光半导体装置,固定于该导线架;以及一封装材,包覆该导线架及该发光半导体装置。12.一种发光源,包括:一电路板;至少一如申请专利范围第11项所述之发光装置,电性连接于该电路板以输出光源。13.一种背光模组,包括:一模组本体;及一如申请专利范围第12项所述之发光源,配置于该模组本体之下方或侧边以输出光源。14.一种显示装置,包括:一显示元件;及一如申请专利范围第12项所述之发光源或第13项所述之背光模组,系用以提供光源予该显示元件。15.一种发光装置之制造方法,包括:提供一发光半导体装置;使复数颗发光粉粒位于该发光半导体装置所放出的光径上;及缩小该些发光粉粒之间距以增加该些发光粉粒相互间之分子吸引力,致使该些发光粉粒藉该分子吸引力结块成一发光粉粒层。16.一种发光装置之制造方法,包括:提供一发光半导体晶粒或晶圆;使复数颗发光粉粒与一不含黏着剂之液体混合;使该些发光粉粒位于该发光半导体晶粒或晶圆所放出的光径上;及移除该液体以使该些发光粉粒结块成一发光粉粒层。17.如申请专利范围第16项所述之发光装置之制造方法,其中该液体为不含环氧树脂或黏胶之水或挥发性溶剂。18.如申请专利范围第17项所述之发光装置之制造方法,其中该挥发性溶剂包括醚类、醇类、或酮类之群组。19.如申请专利范围第16项所述之发光装置之制造方法,其中该发光半导体晶粒或晶圆系被置入一容器中,该容器并容纳有该液体,且该些发光粉粒系分散于该液体中形成一混合液。20.如申请专利范围第19项所述之发光装置之制造方法,其包括静置该混合液一段时间,使上述混合液中之发光粉粒沈降于该发光半导体晶粒或晶圆上。21.如申请专利范围第20项所述之发光装置之制造方法,其中,该液体之高度高于该发光半导体晶粒或晶圆且该高度系足以使该些发光粉粒均匀沈降于该发光半导体晶粒或晶圆上。22.如申请专利范围第21项所述之发光装置之制造方法,其中,该液体之高度为该发光半导体晶粒或晶圆高度之3.5倍至6倍之间。23.如申请专利范围第16项所述之发光装置之制造方法,其中,该液体系藉烘乾之步骤移除。24.如申请专利范围第23项所述之发光装置之制造方法,其中,该烘乾之步骤系包括以一烘乾温度移除该液体,其中该烘乾温度所导致之液体搅动状态,系被控制在不影响沈降于该些发光半导体晶粒或晶圆上之发光粉粒。25.如申请专利范围第23项所述之发光装置之制造方法,其中,该烘乾温度系大于达到足以使液体挥发之温度,且小于使该发光半导体晶粒、晶圆破坏或发光粉粒变质之温度。26.如申请专利范围第23项所述之发光装置之制造方法,其中,该烘乾之步骤系包括以一第一及第二阶段烘乾温度来移除该液体。27.如申请专利范围第23项所述之发光装置之制造方法,其中在实施该烘乾之步骤前,更包括部份移除该液体之步骤。28.如申请专利范围第27项所述之发光装置之制造方法,其中部份移除该液体之步骤包括流放或抽取该液体之步骤。29.一种发光装置之制造方法,包括:提供一发光半导体晶圆,其中该发光半导体晶圆包括一光径区及一非光径区;使复数颗发光粉粒与一不含黏着剂之液体混合;使该些发光粉粒沈降于该发光半导体晶圆之光径区及一非光径区;移除该液体使该些发光粉粒结块成一发光粉粒层;形成一第一保护层以保护该发光半导体晶圆之光径区上之发光粉粒层;及去除位于该发光半导体晶圆之非光径区上之发光粉粒层。30.如申请专利范围第29项所述之发光装置之制造方法,其更包括形成一第二保护层,用以至少覆盖该第一保护层及该发光粉粒层。31.一种发光装置之制造方法,包括:均匀分散复数颗发光粉粒于一不含黏着剂之液体中以形成混合液;使一基材于上述混合液中静置一段时间,直至该些发光粉粒沈降于该基材上;以及移除上述液体,使该些发光粉粒凝结成块并附着于上述基材上。32.如申请专利范围第31项所述之发光装置之制造方法,其中该些发光粉粒之比重大于该液体。33.如申请专利范围第31项所述之发光装置之制造方法,其中该些发光粉粒之粒径大体为0.1~100m。34.如申请专利范围第31项所述之发光装置之制造方法,其中该些发光粉粒之重量与该液体之体积比为0.001 ~ 1 g/ml。35.如申请专利范围第34项所述之发光装置之制造方法,其中该发光粉之重量与该液体之体积比为0.01~0.15 g/ml。36.如申请专利范围第31项所述之发光装置之制造方法,其中该些发光粉粒系不溶或难溶于该液体中。37.一种发光装置之制造系统,包括:一容器;一置入装置,用以置入一基材至该容器内;一液体供应装置,用以注入不含黏着剂之液体至该容器内,并使该液体之高度高于该基材;一搅拌装置,用以均匀分散复数颗发光粉粒于该液体中以形成混合液;及一液体排除装置,用以在该些发光粉粒均匀沈降于该基材上后移除该液体,使该些发光粉粒凝结成块并附着于上述基材上。38.如申请专利范围第4项所述之发光装置,其中该第一保护层系由应力缓冲材料构成。39.如申请专利范围第38项所述之发光装置,其中该应力缓冲材料系由矽胶材质构成。40.如申请专利范围第29项所述之发光装置之制造方法,其系选择应力缓冲材料构成该第一保护层。图式简单说明:第1图为一剖面图,用以说明习知发光二极体之结构。第2A图为本发明发光二极体结构之剖面图。第2B图为本发明发光二极体结构之剖面图。第3A图为本发明发光二极体结构之剖面图。第3B图为本发明发光二极体结构之剖面图。第4A图为本发明发光二极体之封装结构的剖面图。第4B图为本发明发光二极体之封装结构的剖面图。第5图为本发明发光二极体之封装结构的剖面图。第6A图为本发明具有第一保护层之发光装置结构之剖面图。第6B图为本发明具有第二保护层之发光装置结构之剖面图。第7图为本发明发光源结构的剖面图。第8A图为本发明显示装置的剖面图。第8B图为本发明另一显示装置的剖面图。第9图为本发明发光装置之制造系统方块图。 |
