发明名称 金属蚀刻后之清洗方法
摘要 一种金属蚀刻后之清洗方法。首先,提供一晶圆,该晶圆上具有一蚀刻后之金属层,该金属层表面上包括有高分子残余物。然后,利用含氟之有机酸性溶剂清洗该金属层,并以物理方法去除该含氟之有机酸性溶剂。接着,以去离子水冲洗该金属层并对该晶圆进行一乾燥步骤。
申请公布号 TWI242805 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW090103359 申请日期 2001.02.15
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 吴至宁;杨建伦
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种金属蚀刻后之清洗方法,其至少包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆上具有一蚀刻后之金属层,且该金属层表面上包括有高分子残余物;以一含氟之有机酸性溶剂清洗,以去除该高分子残余物;以去离子水冲洗;以及进行一乾燥步骤。2.如申请专利范围第1项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该蚀刻后之金属层包括一金属线。3.如申请专利范围第2项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该金属线包括一铝线。4.如申请专利范围第2项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该金属线包括一铝-铜合金线。5.如申请专利范围第2项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该金属线包括一铜线。6.如申请专利范围第1项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该含氟之有机酸性溶剂包括醋酸氟酸(CH3COOF)。7.如申请专利范围第1项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该含氟之有机酸性溶剂包括一螯合剂,该螯合剂可以与该金属层之金属发生螯合作用。8.如申请专利范围第1项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中以去离子水冲洗之前,以该含氟之有机酸性溶剂清洗之后更包括以一物理方法去除该含氟之有机酸性溶剂之步骤。9.如申请专利范围第8项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该以物理方法去除该含氟之有机酸性溶剂之步骤,系以旋转该晶圆之方式甩去该晶圆上之该含氟之有机酸性溶剂。10.如申请专利范围第1项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该乾燥步骤系以氮气吹气的方式施行。11.如申请专利范围第1项所述之金属蚀刻后之清洗方法,其中该乾燥步骤系使用异丙醇施行。图式简单说明:第1图绘示一种依据本发明之一种金属蚀刻后之清洗方法。
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