| 主权项 |
1.一种多晶片封装之高密度基板,包含:一基板本体,其系具有一第一晶片接合区并包含复数个第一连接垫及复数个内接端(interconnection),该些第一连接垫系排列于该第一晶片接合区之周围;及一增层基板部(build-up substrate portion),其系结合于该基板本体,该增层基板部系具有一第二晶片接合区并包含复数个第二连接垫,该些第二连接垫系形成于该第二晶片接合区内,该增层基板部系覆盖该些内接端,且该些第二连接垫以该增层基板部之内部线路导接至该些内接端。2.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该基板本体之第一晶片接合区系与该增层基板部之第二晶片接合区为形成于同一表面。3.如申请专利范围第1或2项所述之多晶片封装之高密度基板,其另包含有一防焊层,其系覆盖该基板本体之第一晶片接合区与该增层基板部之第二晶片接合区。4.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该基板本体系具有一沉穴,而该增层基板部系补偿(compensate)该沉穴。5.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该基板本体系具有一下沉区,而该增层基板部系补偿(compensate)该下沉区。6.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该些第二连接垫之间距系小于该些内接端之间距,以供覆晶接合。7.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该些第一连接垫之间距系大于该些第二连接垫之间距,以供连接焊线。8.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该些第二连接垫之间距系小于该些第一连接垫之间距二分之一以下。9.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该基板本体系为层压(laminated)形成之多层印刷电路板。10.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该些第一连接垫系形成于该基板本体之一上表面,并且复数个球垫系形成在该基板本体之一下表面。11.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该些内接端系为平垫状或线状,而该增层基板部系实质紧贴于该基板本体之该些内接端。12.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装之高密度基板,其中该些内接端系包含有复数个突出之导接元件,以电性连接该增层基板部与该基板本体13.如申请专利范围第1或12项所述之多晶片封装之高密度基板,其中在该增层基板部与该基板本体之间系形成有一间隔,一填充胶体系形成于该间隔。14.一种多晶片封装构造,包含:一高密度基板,其系包含有一基板本体及一增层基板部,该基板本体系具有一第一晶片接合区并包含复数个第一连接垫及复数个内接端(interconnection),该些第一连接垫系排列于该第一晶片接合区之周围,该增层基板部系结合于该基板本体,该增层基板部系具有一第二晶片接合区并包含复数个第二连接垫,该些第二连接垫系形成于该第二晶片接合区内,该增层基板部系覆盖该些内接端,且该些第二连接垫以该增层基板部之内部线路导接至该些内接端;一晶片,其系具有一主动面及一背面,该背面系贴设于该第一晶片接合区,该晶片系具有复数个在该主动面之焊垫;复数个焊线,其系连接该晶片之焊垫与该基板本体之第一连接垫;及一覆晶晶片,其系接合于该增层基板部之第二晶片接合区,该覆晶晶片系具有复数个凸块,该些凸块系连接该些第二连接垫。15.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其另包含有一封胶体,其系形成于该高密度基板上并密封该晶片与该些焊线。16.如申请专利范围第15项所述之多晶片封装构造,其中该封胶体系密封该覆晶晶片。17.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该基板本体之第一晶片接合区系与该增层基板部之第二晶片接合区为形成于同一表面。18.如申请专利范围第14或17项所述之多晶片封装构造,其中该高密度基板系包含有一防焊层,其系覆盖该基板本体之第一晶片接合区与该增层基板部之第二晶片接合区。19.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该基板本体系具有一沉穴,而该增层基板部系补偿(compensate)该沉穴。20.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该基板本体系具有一下沉区,而该增层基板部系补偿(compensate)该下沉区。21.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该些第二连接垫之间距系小于该些内接端之间距。22.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该些第二连接垫之间距系小于该些第一连接垫之间距二分之一以下。23.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该基板本体系为层压(laminated)形成之多层印刷电路板。24.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该些第一连接垫系形成于该基板本体之一上表面,并且复数个球垫系形成在该基板本体之一下表面。25.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该些内接端系为平垫状或线状,而该增层基板部系实质紧贴于该基板本体之该些内接端。26.如申请专利范围第14项所述之多晶片封装构造,其中该些内接端系包含有复数个突出之导接元件,以电性连接该增层基板部与该基板本体。27.如申请专利范围第14或26项所述之多晶片封装构造,其中在该增层基板部与该基板本体之间系形成有一间隔,一填充胶体系形成于该间隔。图式简单说明:第1图:习知多晶片封装构造之截面示意图;第2图:依据本发明之第一具体实施例,一种多晶片封装之高密度基板之截面示意图;第3图:依据本发明之第一具体实施例,该多晶片封装之高密度基板之上表面示意图;第4图:依据本发明之第一具体实施例,使用该高密度基板之一多晶片封装构造之截面示意图;第5图:依据本发明之第二具体实施例,一种多晶片封装之高密度基板之截面示意图;及第6图:依据本发明之第三具体实施例,一种多晶片封装之高密度基板之截面示意图。 |
