| 主权项 |
1.一种用于将接点焊接于垂直整合式半导体晶片上之装置,其具有一挟持装置(1)、一冲洗装置(5)、一晶片托板(13)以及一加热器,其特征在于-挟持装置(1)系意欲用于接收一具有元件之晶圆(2)并予以运送,-冲洗装置(5)包括一具有一窗口(7)之平板(6)、一气体通道(8)以及一配置于窗口之排气口(14),该平板系与一本意为晶圆之挟持装置(1)之运送区平行对准且系托持于挟持装置(1)上方之位置,-晶片托板(13)系于窗口(7)上配置于挟持装置(1)的上方,致使一晶片(4)系于一晶圆(2)上托持于面对挟持装置(1)之晶片托板之一侧上且可藉由晶片托板关于晶圆之垂直移动依所期望带引至晶圆附近,以及-加热器之设计方式在于一托持于晶片托板(13)上的晶片(4)可自面向晶片托板之晶片之一侧予以加热至一涂敷于晶片另一侧之焊料得以熔化的温度。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该排气口(14)系置于该窗口(7)的周围。3.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该面离窗口(7)之平板(6)之一边具有另一气体通道(11)以及另一排气口(15),该排气口(15)于平板之二维范围内指向远离平板之方向。4.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该加热器包含一热辐射源(12、26),该热辐射源(12、26)之配置方式使得其所放射之热辐射经由晶片(21)上之晶片托板(13)予以定向。5.如申请专利范围第4项之装置,其中一可被红外线辐射穿透的主体(23)系合置于该晶片托板(13)中,一挤压性压力系藉由该主体(23)传送至该晶片(21)。6.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该加热器包含一具有电性端子的感应线圈且该感应线圈系合置于该晶片托板(13)内。7.如申请专利范围第6项之装置,其中一导电性主体系合置于该晶片(13)中且该导电性主体之配置方式使其可藉由感应线圈所造成之旋涡电流之感应予以加热。8.如申请专利范围第6项之装置,其中该感应线圈之配置方式使得旋涡电流可藉由涂敷至一托持于该晶片托板(13)上之晶片(21)之焊料中的感应线圈予以感应,焊料系藉由该等电流予以熔化。9.一种用于在垂直整合式半导体晶片上焊接接点的方法,其中一晶片之接点系焊接至一位于一晶圆中之元件之接点上,其中-一焊料系涂敷于晶片之接点,-该等接点系用一形成之气体予以冲洗,-将焊料熔化,-该等接点彼此互相挤压以及-将焊料冷却直到焊料固化,其特征在于-焊料因晶片系自远离接点之一侧受到加热而熔化,-焊料之涂敷方式使得焊料在熔化状态中于接点上形成一厚度小于5微米之层,以及-焊料系冷却至其经历等温固化的程度。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该晶片系用一热辐射源予以加热。图式简单说明:图1表示一根据本发明之装置之实施例之剖面图。图2表示一晶片托板之放大图以及加热源。 |
