| 主权项 |
1.一种真空产生装置结构改良,其系包括:一本体与一座体,其中:该本体内侧具有一真空成形室,该真空成形室连接数纵向贯孔;该座体内侧依序设有数由纵向隔墙构成之低压室,各纵向隔墙分别设有一相通且连接喷嘴之喷射管,并于各低压室顶端分别设有一与该本体贯孔相通之通孔,俾供一止逆元件容置,而该座体外侧端面设有一高压空气入口,异于该高压空气入口之一端设有一出气口;藉由上述各构件使该座体系位于该本体之一侧,并藉数锁固件使该本体与座体呈紧密结合状,以形成该真空产生装置结构。2.依申请专利范围第1项所述之真空产生装置结构改良,其中,对应各该贯孔于本体外侧分别设有一凹槽,俾供一缓冲件容置,且本体外侧端面设有一连通该真空成形室之抽气管。3.依申请专利范围第1项所述之真空产生装置结构改良,其中,该通孔内侧壁面系为锯齿状设计,以于各该通孔内分别形成一第一阻挡部与一第二阻挡部,而该止逆元件则具有一逆止件与一固定件,俾分别将该逆止件与固定件容置于第一阻挡部与第二阻挡部。4.依申请专利范围第3项所述之真空产生装置结构改良,其中,该固定件具有一凹部,且该固定件底部等距向上伸设数支撑部,俾供支撑该逆止件,且固定件底部外缘设有数穿孔,以供气体通过。5.依申请专利范围第3项所述之真空产生装置结构改良,其中,该逆止件向下凸设一凸部,以与该固定件之凹部相密合,且逆止件外周系由上往下逐渐扩大的方式以形成一伞状之盖合段,使该盖合段与凸部间恰可供固定件之支撑部顶撑。6.依申请专利范围第1项所述之真空产生装置结构改良,其中,更包括于该该真空形成室之外侧设置数低压室与数喷射管,以增加真空形成室的真空程度。图式简单说明:第1图系本创作之结构示意图第2图系本创作之使用状态示意图第3图系本创作之止逆元件的局部放大示意图第4图系本创作第二实施例之示意图第5图系习用之真空产生装置结构之示意图 |
