| 主权项 |
1.一种用于以电荷交换反应将银以无电极电镀于铜表面之浴,此浴含有至少一种AgnXm(m-n)-类型之银卤错合物,其中n及m代表整数而X代表氯、溴或碘,以及不含有任何与Ag+离子作用之还原剂。2.根据申请专利范围第1项之浴,其中之银卤错合物系溴化银错合物。3.根据申请专利范围第1及2项中任何一项之浴,其中此浴之pH値系调整至0至6的范围。4.根据申请专利范围第1及2项中任何一项之浴,其中此浴不含有任何阴离子选自此群组,包括硝酸根,硫离子,硫代硫酸根及此阴离子之衍生物。5.根据申请专利范围第1及2项中任何一项之浴,其中此浴额外地含有至少一种铜抑制剂。6.根据申请专利范围第5项之浴,其中至少一种铜抑制剂系选自此群组,包括三唑,四唑,咪唑以及唑。7.根据申请专利范围第1及2项中任何一项之浴,其中此浴额外含有至少一种与Cu2+离子作用之错合剂。8.根据申请专利范围第7项之浴,其中至少一种与Cu2+离子作用之错合剂系选自此群组,包括乙二胺,丙胺酸二醋酸,胺基三甲基膦酸以及1-羟基伸乙基-1,1-二膦酸。9.根据申请专利范围第1及2项中任何一项之浴,其中此浴额外地含有至少一种表面活化剂。10.一种藉由电荷交换反应将银以无电极电镀于铜表面之方法,此方法包括下列方法步骤:a.制备含有至少一种AgnXm(m-n)-类型之银卤错合物,其中n及m代表整数而X代表氯、溴或碘,及不含有任何与Ag+作用之还原剂之无电极银电镀浴;以及b.使得已提供该铜表面之介质和无电极银电镀浴接触。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中之银卤错合物系溴化银错合物。12.根据申请专利范围第10及11项中任一项之方法,其中此无电极银电镀浴之pH値系调整至0至6的范围。13.根据申请专利范围第10及11项中任一项之方法,其中此无电极银电镀浴不含有任何阴离子选自此群组,包括硝酸根,硫离子,硫代硫酸根及此阴离子之衍生物14.根据申请专利范围第10及11项中任一项之方法,其中此方法进一步包含使得含有至少一种铜抑制剂之后处理浴和介质接触之方法步骤。15.根据申请专利范围第14项之方法,其中至少一种铜抑制剂系选自此群组,包括三唑,四唑,咪唑以及唑。16.根据申请专利范围第10及11项中任一项之方法,其中此无电极银电镀浴额外含有至少一种与Cu2+离子作用之错合剂。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中至少一种与Cu2+离子作用之错合剂系选自此群组,包括乙二胺,丙胺酸二醋酸,胺基三甲基膦酸以及1-羟基伸乙基-1,1-二膦酸。18.根据申请专利范围第10及11项中任一项之方法,其中此无电极银电镀浴额外含有至少一种表面活化剂。19.根据申请专利范围第10及11项中任一项之方法,其中将银以无电极电镀于铜表面包括形成保护性银覆层于印刷电路板之铜表面上以及其中至少一种程序选自此群组,包括一种软焊程序,一种键结程序,一种压入技术以及一种电接触形成法,系随后作用于介质上。 |
