| 主权项 |
1.一种非依电性记忆体之控制方法,该非依电性记忆体系具有多数区块,而该区块系具有多数页面,又,该页面系具有用以写入资料之资料区域及冗余区域者;前述区块最开始之前述页面中之前述冗余区域,系具有一区块资料无效化旗标,而该区块资料无效化旗标,系用以显示写入于该区块内之前述资料是否无效,且,非依电性记忆体于抹除状态时,显示前述资料非无效者;前述区块最末了之前述页面中之前述冗余区域,系具有一区块资料有效化旗标,而该区块资料有效化旗标,系用以显示写入于该区块内之前述资料是否有效,且,非依电性记忆体于抹除状态时,显示前述资料非有效者;而该非依电性记忆体之控制方法系具有: 资料写入步骤,系用以将资料写入于前述资料区域内者;及有效化步骤,系用以令前述区块内之前述区块资料有效化旗标,标示成前述资料有效,而前述区块系具有业已写入前述资料之前述资料区域者。2.如申请专利范围第1项之非依电性记忆体之控制方法,其系更包含有一选择步骤,该选择步骤系藉由硬体或软体选择如下之方法,即,一与前述资料写入步骤同时或连续执行前述有效化步骤之方法,及一于前述资料写入步骤后进行资料正确性检查,以执行前述有效化步骤之方法。3.如申请专利范围第1项之非依电性记忆体之控制方法,其系同时执行有效化步骤及无效化步骤,该有效化步骤系于将原有之资料更新为新的资料时,针对业已写入前述新的资料之前述区块进行者,而该无效化步骤系用以令写入前述原有资料之前述区块内之前述区块资料无效化旗标,标示为前述原有之资料无效者。4.如申请专利范围第1项之非依电性记忆体之控制方法,其中该冗余区域系更具有一逻辑位址及一业已写入于前述区块内之前述资料的履历资讯;而该非依电性记忆体之控制方法,系更具有一判断步骤,该判断步骤系于具有多数备有相同的前述逻辑位址之区块时,依据前述履历资讯而判断目前哪一区块之资料有效者。5.一种非依电性记忆体,系具有多数区块者,该区块系具有多数页面,而该页面系具有用以写入资料之资料区域及冗余区域;前述区块最开始之前述页面中之前述冗余区域,系具有一区块资料无效化旗标,而该区块资料无效化旗标,系用以显示写入于该区块内之前述资料是否无效,且,非依电性记忆体于抹除状态时,显示前述资料非无效者;前述区块最末了的前述页面中之前述冗余区域,系具有一区块资料有效化旗标,而该区块资料有效化旗标,系用以显示写入于该区块内之前述资料是否有效,且,非依电性记忆体于抹除状态时,显示前述资料非有效者;至少1个前述区块内之区块资料有效化旗标,系显示前述资料有效。6.如申请专利范围第5项之非依电性记忆体,其中该冗余区域系更具有一逻辑位址及一写入于前述区块内之前述资料的履历资讯。图式简单说明:第1图系本发明实施例1之快闪记忆体实体区块内之构成图例。第2图系习知之快闪记忆体实体区块构成例。第3图系习知之快闪记忆体实体区块内之构成图例。第4图系表示逻辑位址与实体位址之关系之图。第5图系逻辑实体位址变换表之例。第6图系1区块写入处理概略流程图。第7图系第6图中之新资料写入处理部之详细流程图。第8图系习知之第7图中之冗余区域资料作成处理部之详细流程图。第9图系本发明实施例1之第7图中之冗余区域资料作成处理部之详细流程图。第10图系本发明实施例1中,电源投入时之逻辑实体位址变换表作成处理概略流程图。第11图系本发明实施例2之1区块写入处理概略流程图。第12图系本发明实施例2之第7图中之冗余区域资料作成处理部之详细流程图。第13图系本发明实施例4之快闪记忆体实体区块内之构成图例。 |
