| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,包括:一第一基板;一第二基板,与该第一基板相对;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间;一第一电容电极,位于该第一基板上;一介电层,位于该第一电容电极上;一第二电容电极,位于该介电层上,其中该第二电容电极具有一凸出部,该凸出部位于该第一电容电极以外的区域上;一保护层,覆盖该第二电容电极,其中该保护层具有一开口,暴露出该第二电容电极之该凸出部;一画素电极,位于该保护层上,且该画素电极系藉由该保护层之该开口与该第二电容电极之该凸出部电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该第二电容电极上方之该保护层上;一主动元件,位于该第一基板上,且与该画素电极电性相连;以及一透明电极,位于该第二基板上,且与该画素电极分别位于该液晶层之两侧。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中该画素电极包括一开口,设于该第二电容电极上方。3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中该画素电极包括一缺角,设于该第二电容电极上方。4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该第二电容电极上方。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中该主动元件包括一薄膜电晶体。6.一种画素结构,至少包括:一第一电容电极,位于一基板上;一介电层,位于该第一电容电极上;一第二电容电极,位于该介电层上,其中该第二电容电极具有一凸出部,该凸出部位于该第一电容电极以外的区域上;一保护层,覆盖该第二电容电极,其中该保护层具有一开口,暴露出该第二电容电极之该凸出部;一画素电极,位于该保护层上,且该画素电极系藉由该保护层之该开口与该第二电容电极之该凸出部电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该第二电容电极上方之该保护层上;以及一主动元件,位于该第一基板上,且与该画素电极电性相连。7.如申请专利范围第6项所述之画素结构,其中该画素电极包括一开口,设于该第二电容电极上方。8.如申请专利范围第6项所述之画素结构,其中该画素电极包括一缺角,设于该第二电容电极上方。9.如申请专利范围第6项所述之画素结构,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该第二电容电极上方。10.如申请专利范围第6项所述之画素结构,其中该主动元件包括一薄膜电晶体。11.一种储存电容之修补方法,适用于具有一储存电容之画素结构,该储存电容包括依序形成于一基板上的一第一电容电极、一介电层、一第二电容电极、一保护层以及一画素电极,其中该第二电容电极具有一凸出部,在位于该第一电容电极以外的区域上,而该保护层具有一开口,以使该画素电极藉由该开口与该第二电容电极电性连接,且该画素电极并未完全覆盖于该第二电容电极上方之该保护层上,当该第一电容电极与该第二电容电极发生短路时,该修补方法之特征在于切断该第二电容电极之该凸出部。12.如申请专利范围第11项所述之储存电容之修补方法,其中切断该第二电容电极之该凸出部的方法包括利用雷射。13.如申请专利范围第11项所述之储存电容之修补方法,其中切断该第二电容电极之该凸出部之后,更包括经由未被该画素电极覆盖之该第二电容电极上方焊接该第一电容电极与该第二电容电极。14.如申请专利范围第13项所述之储存电容之修补方法,其中焊接该第一电容电极与该第二电容电极的方法包括利用雷射。15.一种画素结构,具有一储存电容,该画素结构包括:一第一金属层,配置在一基板上,该第一金属层包括一扫描配线、一闸极以及一共用配线;一介电层,覆盖该第一金属层;一通道层,配置于该闸极上方之该介电层上;一第二金属层,配置在该基板上,该第二金属层包括一源极、一汲极、一资料配线以及一电容电极,其中该电容电极与该共用配线系互相叠置,且该电容电极更具有一凸出部,位于该共用配线以外的区域上,而该源极与该汲极配置于该闸极上方之该通道层两侧;一保护层,配置于该第一金属层、该介电层以及该第二金属层上,其中该保护层具有一第一开口以及一第二开口,而该第一开口暴露出该电容电极之该凸出部、该第二开口则暴露出该汲极;以及一画素电极,位于该保护层上,且藉由该第一开口与该电容电极电性连接以及藉由该第二开口与该汲极电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该电容电极上方之该保护层上。16.如申请专利范围第15项所述之画素结构,其中该画素电极包括一开口,设于该电容电极上方。17.如申请专利范围第15项所述之画素结构,其中该画素电极包括一缺角,设于该电容电极上方。18.如申请专利范围第15项所述之画素结构,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该电容电极上方。19.一种画素结构,具有一储存电容,该画素结构包括:一第一金属层,配置在一基板上,该第一金属层包括一第一扫描配线、一第二扫描配线以及一闸极,其中该闸极与该第一扫描配线相连;一介电层,覆盖该第一金属层;一通道层,配置于该闸极上方之该介电层上;一第二金属层,配置在该基板上,该第二金属层包括一源极、一汲极、一资料配线以及一电容电极,其中该电容电极与该第二扫描配线系互相叠置,且该电容电极更具有一凸出部,在位于该第二扫描配线以外的区域上,而该源极与该汲极配置于该闸极上方之该通道层两侧;一保护层,配置于该第一金属层、该介电层以及该第二金属层上,其中该保护层具有一第一开口以及一第二开口,而该第一开口暴露出该电容电极之该凸出部、该第二开口则暴露出该汲极;以及一画素电极,位于该保护层上,且藉由该第一开口与该电容电极电性连接以及藉由该第二开口与该汲极电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该电容电极上方之该保护层。20.如申请专利范围第19项所述之画素结构,其中该画素电极包括一开口,设于该电容电极上方。21.如申请专利范围第19项所述之画素结构,其中该画素电极包括一缺角,设于该电容电极上方。22.如申请专利范围第19项所述之画素结构,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该电容电极上方。23.一种画素结构,具有一储存电容,该画素结构包括:一第一金属层,配置在一基板上,该第一金属层包括一扫描配线以及一闸极,其中该闸极与该扫描配线相连;一介电层,覆盖该第一金属层;一通道层,配置于该闸极上方之该介电层上;一第二金属层,配置在该基板上,该第二金属层包括一源极、一汲极、一资料配线以及一电容电极,其中该电容电极与该扫描配线系互相叠置,且该电容电极更具有一凸出部,位于该扫描配线以外的区域上,而该源极与该汲极配置于该闸极上方之该通道层两侧;一保护层,配置于该第一金属层、该介电层以及该第二金属层上,其中该保护层具有一第一开口以及一第二开口,而该第一开口暴露出该电容电极之该凸出部、该第二开口则暴露出该汲极;以及一画素电极,位于该保护层上,且藉由该第一开口与该电容电极电性连接以及藉由该第二开口与该汲极电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该电容电极上方之该保护层。24.如申请专利范围第23项所述之画素结构,其中该画素电极包括一开口,设于该电容电极上方。25.如申请专利范围第23项所述之画素结构,其中该画素电极包括一缺角,设于该电容电极上方。26.如申请专利范围第23项所述之画素结构,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该电容电极上方。27.一种画素结构,具有一储存电容,该画素结构包括:一第一金属层,配置在一基板上,该第一金属层包括一扫描配线以及一第一电容电极;一介电层,覆盖该第一金属层;一第二金属层,配置在该基板上,该第二金属层包括一源极、一汲极、一资料配线以及一第二电容电极,其中该第二电容电极与该第一电容电极系互相叠置,且该第二电容电极更具有一凸出部,位于该第一电容电极以外的区域上;一通道层,配置于该扫描配线上方之该介电层与该源极及该汲极之间;一保护层,配置于该第一金属层、该介电层以及该第二金属层上,其中该保护层具有一第一开口以及一第二开口,而该第一开口暴露出该第二电容电极之该凸出部、该第二开口则暴露出该汲极;以及一画素电极,位于该保护层上,且藉由该第一开口与该第二电容电极电性连接以及藉由该第二开口与该汲极电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该第二电容电极上方之该保护层上。28.如申请专利范围第27项所述之画素结构,其中该画素电极包括一开口,设于该第二电容电极上方。29.如申请专利范围第27项所述之画素结构,其中该画素电极包括一缺角,设于该第二电容电极上方。30.如申请专利范围第27项所述之画素结构,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该第二电容电极上方。31.如申请专利范围第27项所述之画素结构,其中该画素电极包括梳状电极。32.一种同平面切换模式液晶显示装置,包括:一第一基板;一第二基板,与该第一基板相对;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间;一第一电容电极,位于该第一基板上;一介电层,位于该第一电容电极上;一第二电容电极,位于该介电层上,其中该第二电容电极具有一凸出部,该凸出部位于该第一电容电极以外的区域上;一保护层,覆盖该第二电容电极,其中该保护层具有一开口,暴露出该第二电容电极之该凸出部;一画素电极,位于该保护层上,且该画素电极系藉由该保护层之该开口与该第二电容电极之该凸出部电性连接,其中该画素电极并未完全覆盖于该第二电容电极上方之该保护层上;一主动元件,位于该第一基板上,且与该画素电极电性相连;以及一共通电极,位于该保护层上,且与该画素电极电性隔离。33.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置中液晶显示装置,其中该画素电极包括一开口,设于该第二电容电极上方。34.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置,其中该画素电极包括一开口,设于该第二电容电极上方。35.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置,其中该画素电极包括一缺角,设于该第二电容电极上方。36.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置,其中该画素电极包括一凹陷部位,设于该第二电容电极上方。37.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置,其中该画素电极包括梳状电极。38.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置,其中该透明电极包括梳状电极。39.如申请专利范围第32项所述之同平面切换模式液晶显示装置,其中该主动元件包括一薄膜电晶体。图式简单说明:第1图系习知一种具有储存电容之薄膜电晶体液晶显示器的画素结构的上视简图。第2图系依照本发明之第一实施例之薄膜电晶体液晶显示器的上视简图。第3图所示系第2图之I-I剖面示意图。第4图系依照本发明之第一实施例之另一画素结构的上视简图。第5图系修补本发明之第一实施例之画素结构的储存电容之步骤流程图。第6图系依照本发明之第二实施例之画素结构的上视简图。第7图系依照本发明之第三实施例之画素结构的上视简图。 |
