| 主权项 |
1.一种基板热处理用之处理系统,包含:一温度受控制的热处理室;一温度受控制的基板夹具,其安装在该热处理室之中且形成为实质热绝缘于该热处理室,其中该受热的基板夹具系包含一机构,用以提高该基板之一热处理基板温度,俾能热处理其上已经过化学性改变的露出表面层;一基板升降组件,结合于温度受控制的该热处理室,而用以在一传送面与温度受控制的该基板夹具之间转送该基板;及一抽真空系统,结合于该热处理室及用以排出热处理过程的气态产物。2.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,更包含一控制器,结合于温度受控制的该热处理室、受热的该基板夹具、该基板升降组件、与该抽真空系统的至少之一,且用以对热处理室温度、热处理基板夹具温度、热处理基板温度、与热处理的处理压力的至少之一进行设定、监视、与调整操作的至少之一。3.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中该热处理系统系结合于另一处理系统。4.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中该热处理系统系结合于一输送系统。5.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中该热处理系统系结合于一化学处理系统。6.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中受热的该基板夹具具有薄膜加热器、铸入式加热器、电阻元件、加热道、辐射灯与电热装置的至少之一。7.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中温度受控制的该热处理室具有冷却道、加热道、电阻加热元件、辐射灯与电热装置的至少之一。8.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,更包含一基板侦测系统,用以侦测结合于该热处理室之该基板升降组件上是否存在有该基板。9.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中该基板升降组件具有用以传送该基板的一叶片,及具有用以在该受热的基板夹具与该传送面之间垂直地转送该基板的一驱动系统。10.如申请专利范围第9项之基板热处理用之处理系统,其中该叶片包含三个或更多之吊环,用以接收该基板。11.如申请专利范围第1项之基板热处理用之处理系统,其中该热处理系统更包含一上组件。12.如申请专利范围第11项之基板热处理用之处理系统,其中该上组件的温度系受到控制。13.如申请专利范围第11项之基板热处理用之处理系统,其中该上组件用以进行导入一清除气体至该热处理室及侦测该基板升降组件上是否存在有该基板的至少之一。14.一种基板热处理用之处理系统的操作方法,包含以下步骤:一输送步骤,将该基板输送到一热处理系统之中,该热处理系统则包含一热处理室、一温度受控制的基板夹具,其安装在该热处理室之中且形成为实质热绝缘于该热处理室、一基板升降组件,结合于温度受控制的该热处理室,而用以在一传送面与温度受控制的该基板夹具之间转送该基板、一抽真空系统、与一控制器,结合于该热处理系统;一设定热处理参数步骤,使用该控制器设定该热处理系统所需之热处理参数,其中该热处理参数包含一热处理的处理压力、一热处理室温度、一热处理基板温度、与一热处理基板夹具温度的至少之一;及一处理步骤,使用该热处理参数处理该热处理系统之中的该基板,俾能除去该基板之化学性已改变的露出表面层。15.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中受热的该基板夹具具有薄膜加热器、铸入式加热器、电阻元件、加热道、辐射灯与电热装置的至少之一。16.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中温度受控制的该热处理室具有冷却道、加热道、电阻加热元件、辐射灯与电热装置的至少之一。17.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,更包含侦测该基板升降组件上是否存在有该基板。18.如申请专利范围第17项之基一板热处理用之处理系统的操作方法,其中该基板升降组件具有用以传送该基板的一叶片,及具有用以在该受热的基板夹具与该传送面之间垂直地转送该基板的一驱动系统。19.如申请专利范围第18项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该叶片包含三个或更多之吊环,用以接收该基板。20.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中设定该热处理室温度的步骤包含使用结合于该热处理室的一壁温控制单元加热该热处理室及监视该热处理室温度。21.如申请专利范围第20项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理室温度的范围从20℃到200℃。22.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中设定该热处理基板夹具温度的步骤包含调整结合于温度受控制之基板夹具的一基板加热组件及监视该热处理基板夹具温度。23.如申请专利范围第22项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理基板夹具温度超过100℃。24.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中其中该设定该热处理基板温度的步骤包含调整结合于温度受控制的该基板夹具的一基板加热组件及监视该热处理基板温度。25.如申请专利范围第24项之基一板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理基板温度的范围从100℃到200℃。26.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理室更包含一上组件。27.如申请专利范围第26项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该一个或更多之热处理参数更包含一热处理上组件温度。28.如申请专利范围第27项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中设定该热处理上组件温度的步骤包含使用结合于该上组件的一上组件温度控制单元及监视该热处理上组件温度。29.如申请专利范围第28项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理上组件温度的范围从20℃到200℃。30.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理系统更包含一装置,用以将一气体导入到该热处理系统且控制一气体流量。31.如申请专利范围第14项之基板热处理用之处理系统的操作方法,其中该热处理系统具有一上组件,其用以进行导入一清除气体至该热处理室及侦测该基板升降组件上是否存在有该基板的至少之一。图式简单说明:图1A显示本发明之一实施例的化学处理系统与热处理系统所需之输送系统的示意图。图1B显示本发明之另一实施例的化学处理系统与热处理系统所需之输送系统的示意图。图1C显示本发明之又一实施例的化学处理系统与热处理系统所需之输送系统的示意图。图2显示本发明之一实施例的处理系统之横剖面图。图3显示本发明之一实施例的化学处理系统之横剖面图。图4显示本发明之另一实施例的化学处理系统之立体图。图5显示本发明之一实施例的热处理系统之横剖面图。图6显示本发明之另一实施例的热处理系统之立体图。图7显示本发明之一实施例的基板夹具之横剖面图。图8显示本发明之一实施例的气体分配系统之横剖面图。图9A显示本发明之另一实施例的气体分配系统之横剖面图。图9B显示图9A所示之本发明的一实施例之气体分配系统的放大图。图10A与图10B显示图9A所示之本发明的一实施例之气体分配系统的立体图。图11显示本发明之一实施例的基板升降组件。图12显示本发明之一实施例的热绝缘组件之侧视图。图13显示本发明之一实施例的热绝缘组件之上视图。图14显示本发明之一实施例的热绝缘组件之横剖面侧视图。图15显示用于处理基板的流程图。 |
