| 主权项 |
1.一种埋入式晶片之电性连接端结构制法,系包括:提供一嵌埋有晶片之电路板,且该晶片表面具有复数之电性连接垫;于该整合有晶片之电路板上形成一绝缘层,并使该绝缘层形成有复数开口,其中至少一开口系对应于该晶片之电性连接垫位置;于该绝缘层及其开口表面形成导电层;于该导电层上形成图案化阻层,俾使该图案化阻层形成复数阻层开口,以外露出后续欲于其上沈积金属层之导电层部分,其中至少一阻层开口系对应至该晶片之电性连接垫位置;以及进行电镀制程以在显露于该图案化阻层之导电层上形成电镀金属层。2.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该晶片系在完成晶圆积体电路制程并切割形成有多数之晶片单元后,加以嵌埋至电路板中。3.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该晶片之电性连接垫上之电镀金属层部分系包含有第一电镀金属层及第二电镀金属层,其系先在该晶片之电性连接垫上透过该导电层先电镀形成一供作为阻障层之第一电镀金属层,然后再于该第一电镀金属层上电镀形成第二电镀金属层。4.如申请专利范围第3项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该第一电镀金属层最佳可为镍金属层。5.如申请专利范围第3项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该第二电镀金属层最佳可为铜金属层。6.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该导电层为铜层。7.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,于形成该电镀金属层后即可移除该阻层及被该阻层所覆盖之导电层。8.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,为使该导电层得以有效附着于该晶片之电性连接垫上,系可在该晶片之电性连接垫上先进行金属化处理,以形成有金属化处理层。9.如申请专利范围第8项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,于形成该电镀金属层后即可移除该阻层及被该阻层所覆盖之导电层与金属化处理层。10.如申请专利范围第8项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该金属化处理较佳系为锌化处理。11.如申请专利范围第8项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,在完成金属化处理后,复可再沈积钯层。12.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该绝缘层为非纤维之树脂型材料及纤维含浸树脂材料之其中一者。13.如申请专利范围第12项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该绝缘层为ABF、双顺丁烯二酸醯亚胺/三氮阱(BT)、BCB、LCP、PI、PTFE、环氧树脂与玻璃纤维(FR4、FR5)其中一者。14.如申请专利范围第1或12项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该绝缘层之开口可利用雷射钻孔技术形成。15.如申请专利范围第14项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,复进行除胶渣(De-smear)作业以移除因钻孔所残留于该开口内之胶渣。16.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该绝缘层可为光感应绝缘材料。17.如申请专利范围第1或16项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该绝缘层之开口可利用曝光及显影技术形成。18.如申请专利范围第17项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,复进行除渣滓(De-scum)作业以移除因显影所残留于该开口内之渣滓。19.如申请专利范围第1项之埋入式晶片之电性连接端结构制法,其中,该导电层可藉由物理气相沈积(PVD)化学气相沈积(CVD)、无电电镀或化学沈淀,例如溅镀(Sputtering)、蒸镀(Evaporation)、电弧蒸气沈积(Arc vapor deposition)、离子束溅镀(Ion beam sputtering)、雷射熔散沈积(Laser ablation deposition)及电浆促进之化学气相沈积之其中一方式形成。20.一种埋入式晶片之电性连接端结构,系包括:一电性连接垫;一沈积于该电性连接垫上之导电层;一透过该导电层以电镀方式沈积于该导电层之第一电镀金属层;以及一透过该导电层以电镀方式沈积于该第一电镀金属层上之第二电镀金属层。21.如申请专利范围第20项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该晶片系在完成晶圆积体电路制程并切割形成有多数之晶片单元后,加以嵌埋至电路板中。22.如申请专利范围第20项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该导电层为铜层。23.如申请专利范围第20项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该晶片之电性连接垫上具有一金属化处理层,藉以透过该金属化处理层来提供该导电层有效附着于该电性连接垫上。24.如申请专利范围第23项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该金属化处理层较佳系为锌化处理层。25.如申请专利范围第23项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该金属化处理层上复包括有一钯层。26.如申请专利范围第20项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该晶片之电性连接垫上之电镀金属层部分系包含有第一电镀金属层及第二电镀金属层,其系先在该晶片之电性连接垫上透过该导电层先电镀形成一供作为阻障层之第一电镀金属层,然后再于该第一电镀金属层上电镀形成第二电镀金属层。27.如申请专利范围第26项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该第一电镀金属层最佳可为镍金属层。28.如申请专利范围第26项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该第二电镀金属层最佳可为铜金属层。29.如申请专利范围第20项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该绝缘层为非纤维之树脂型材料及纤维含浸树脂材料之其中一者。30.如申请专利范围第29项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该绝缘层为ABF、双顺丁烯二酸醯亚胺/三氮阱(BT)、BCB、LCP、PI、PTFE、环氧树脂与玻璃纤维(FR4、FR5)其中一者。31.如申请专利范围第20或29项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该绝缘层之开口可利用雷射钻孔技术形成。32.如申请专利范围第20项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该绝缘层可为光感应绝缘材料。33.如申请专利范围第20或32项之埋入式晶片之电性连接端结构,其中,该绝缘层之开口可利用曝光及显影技术形成。图式简单说明:第1A至1I图系习知之埋入式晶片之电性连接端结构制法之剖面示意图;以及第2A至2I图系本发明之埋入式晶片之电性连接端结构制法之剖面示意图。 |
