| 主权项 |
1.一种画素结构的制造方法,包括:于一基板上形成一闸极;于该基板上形成一闸绝缘层,且覆盖该闸极;于该闸绝缘层上形成一半导体层;于该半导体层上形成一金属层;于该金属层上形成一第一罩幕层;以该第一罩幕层为蚀刻罩幕,图案化该金属层以形成一源极/汲极,并移除该半导体层之部分厚度;于该第一罩幕层上形成一第二罩幕层,且该第二罩幕层更包括覆盖住该源极/汲极之间的区域;以该第一与该第二罩幕层为蚀刻罩幕,图案化该半导体层;去除该第一与该第二罩幕层;于该基板上形成一保护层;以及于该保护层上形成一画素电极,其中该画素电极系与该汲极电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中形成该半导体层之方法包括:于该闸绝缘层上形成一通道材质层;以及于该通道材质层上形成一欧姆接触材质层。3.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中于该基板上形成该保护层后,更包括于该保护层中形成一开口,暴露出该汲极,且该画素电极系藉由该开口而与该汲极电性连接。4.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中该第一罩幕层的形成方法包括:在金属层上涂布一第一光阻层;以及进行一微影制程,以图案化该第一光阻层。5.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中该第二罩幕层的形成方法包括:在该第一罩幕层上涂布一第二光阻层,且该第二光阻层更包括覆盖住该源极/汲极之间的区域;以及进行一微影制程,以图案化该第二光阻层。6.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中图案化该金属层以形成该源极/汲极的方法包括乾式蚀刻法或湿式蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中图案化该半导体层的方法包括乾式蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法,其中该画素电极的形成方法包括:在该保护层上形成一透明导电薄膜;以及进行一微影制程,以图案化该透明导电薄膜。9.如申请专利范围第8项所述之画素结构的制造方法,其中形成该透明导电薄膜的方法包括溅镀法。10.一种画素结构的制造方法,包括:于一基板上形成一闸极;于该基板上形成一闸绝缘层,且覆盖该闸极;于该闸绝缘层上形成一半导体层;于该半导体层上形成一金属层;于该金属层上形成一第一罩幕层;以该第一罩幕层为蚀刻罩幕,图案化该金属层以形成一源极/汲极,并移除该半导体层之部分厚度;去除该第一罩幕层;于该源极/汲极上形成一第二罩幕层,且该第二罩幕层更包括覆盖住该源极/汲极之间的区域;以该第二罩幕层为蚀刻罩幕,图案化该半导体层;去除该第二罩幕层;于该基板上形成一保护层;以及于该保护层上形成一画素电极,其中该画素电极系与该汲极电性连接。11.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中形成该半导体层之方法包括:于该闸绝缘层上形成一通道材质层;以及于该通道材质层上形成一欧姆接触材质层。12.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中于该基板上形成该保护层后,更包括于该保护层中形成一开口,暴露出该汲极,且该画素电极系藉由该开口而与该汲极电性连接。13.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中该第一罩幕层的形成方法包括:在金属层上涂布一第一光阻层;以及进行一微影制程,以图案化该第一光阻层。14.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中该第二罩幕层的形成方法包括:在该源极/汲极上涂布一第二光阻层,且该第二光阻层更包括覆盖住该源极/汲极之间的区域;以及进行一微影制程,以图案化该第二光阻层。15.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中图案化该金属层以形成该源极/汲极的方法包括乾式蚀刻法或湿式蚀刻法。16.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中图案化该半导体层的方法包括乾式蚀刻法。17.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造方法,其中该画素电极的形成方法包括:在该保护层上形成一透明导电薄膜;以及进行一微影制程,以图案化该透明导电薄膜。18.如申请专利范围第17项所述之画素结构的制造方法,其中形成该透明导电薄膜的方法包括溅镀法。图式简单说明:图1A至图1E绘示为习知一种画素结构的制造方法之流程图。图2A至图2G系绘示依照本发明一第一实施例所述之一种画素结构的制造方法流程图。图3A至图3E系绘示依照本发明一第二实施例所述之一种画素结构的制造方法流程图。 |
