| 主权项 |
1.一种半导体封装构造,其包含:一承载体;一第一晶片,具有相对之一上表面及一下表面,该下表面系固定于该承载体上;一非导电胶,配置于该第一晶片之该上表面上;一第二晶片,具有相对之一上表面及一下表面,其中该下表面系藉由该非导电胶固定于该第一晶片之该上表面上,且该非导电胶与该第二晶片之间黏着面积系大于该第二晶片之下表面面积的90%;以及复数个支撑球,配置于该非导电胶中,以支撑该第二晶片。2.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该承载体系设有复数个第一接垫;该第一晶片之该上表面系设有复数个第二接垫及复数条第一焊线,用以电性连接于该第一晶片之该等第二接垫于该承载体之该等第一接垫;且该第二晶片之该上表面设有复数个第三接垫及复数条第二焊线,用以电性连接于该第二晶片之该等第三接垫于该承载体之该等第一接垫。3.依申请专利范围第2项之半导体封装构造,其中该支撑球具有一预定直径,用以界定该第一焊线所需的空间。4.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该复数个支撑球系为两种不同直径之支撑球,其分别为大尺寸支撑球及小尺寸支撑球。5.依申请专利范围第4项之半导体封装构造,其中该大尺寸支撑球系用以界定该第一焊线所需的空间,且该小尺寸支撑球系用以间隔该大尺寸支撑球。6.依申请专利范围第4项之半导体封装构造,其中该小尺寸支撑球之数目系小于全部支撑球的数目之20%。7.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该支撑球系为弹性、耐热材质所制。8.依申请专利范围第7项之半导体封装构造,其中该支撑球系为橡胶所制。9.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该第一及第二晶片系为记忆晶片。10.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,更包含:一第三晶片,具有相对之一上表面及一下表面,该下表面固定于该承载体上;以及一第四晶片,具有相对之一上表面及一下表面,其中该下表面系藉由该非导电胶固定于该第三晶片之该上表面上,且该非导电胶与该第四晶片之间黏着面积系大于该第四晶片之下表面面积的90%。11.依申请专利范围第10项之半导体封装构造,其中该第三及第四晶片系为记忆晶片。12.依申请专利范围第10项之半导体封装构造,更包含:一第五晶片,固定于该承载体上。13.依申请专利范围第12项之半导体封装构造,其中该第五晶片系为一控制晶片。14.依申请专利范围第12项之半导体封装构造,更包含:复数个被动元件,固定于该承载体上。15.依申请专利范围第14项之半导体封装构造,更包含:一封胶体,包封该第一、第二、第三、第四及第五晶片、该被动元件、及全部焊线。16.依申请专利范围第15项之半导体封装构造,其中该半导体封装构造系为一记忆卡封装构造。17.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,更包含:一封胶体,包封该第一及第二晶片、及该第一及第二焊线。18.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该承载体系为一基板。19.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该承载体系为一导线架。图式简单说明:第1至3图为第一习知封装构造之制造方法之剖面示意图。第4至5图为第二习知封装构造之制造方法之剖面示意图。第6至11图为根据本发明之半导体封装构造之制造方法之剖面示意图。 |
