发明名称 流体磁化器
摘要 本创作提出一种流体磁化器,利用在本体内部具特殊排列方式的磁铁,以使磁力集中于中空管体,以达到强大磁力,而使得流体被磁化。本创作还可利用螺丝及垫片结合与分离由两个以上导磁元件组成的本体,可避免因强大磁力造成之作业困难与作业危险。
申请公布号 TWM279635 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW094202531 申请日期 2005.02.15
申请人 速敏科技股份有限公司 发明人 游清河;莫智杰
分类号 C02F1/48 主分类号 C02F1/48
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种流体磁化器,其系装设至一内装有流体之中空管体周围上,该流体磁化器包括:一本体,其内设有一容置空间,以装设在该中空管体周围上,且通过该中空管体中心点之磁束方向为90度角;以及数磁铁,其系置入该本体内部且位于该容置空间周围,以利用该等磁铁之强大磁力磁化该流体,且该等磁铁外侧贴附有至少一导磁轭铁,而位于该本体内部且角度大于等于45度角之磁铁为辐射状排列,位于该本体内部且角度小于45度角之磁铁为辐射状排列、磁化方向与该中空管体中心点磁束方向夹角小于30度角及不设置磁铁之至少其中之一所组成之群组。2.如申请专利范围第1项所述之流体磁化器,其中,大于等于45度角之该等磁铁为辐射状配向之磁铁,且该等磁铁内各处之磁化方向通过容置空间中心点。3.如申请专利范围第1项所述之流体磁化器,其中,大于等于45度角之该等磁铁为单一方向配向之磁铁,且该等磁铁内中心点之磁化方向通过该容置空间中心点。4.如申请专利范围第1项所述之流体磁化器,其中,该流体系为具极性分子之流体。5.如申请专利范围第1项所述之流体磁化器,其中,该本体系为一体成型者。6.如申请专利范围第1项所述之流体磁化器,其中,该本体系由至少二导磁元件所组成,且每一该导磁元件开设一凹槽,以组成该容置空间。7.如申请专利范围第6项所述之流体磁化器,其中,一该导磁元件外侧边缘上开设有数贯穿孔,且介于二该导磁元件间且位于每一该贯穿孔下设置有一具一凹槽之垫片,以使数螺丝分别锁入具该等贯穿孔之该导磁元件的一该贯穿孔,并经一该垫片以抵住另一该导磁元件,而使具该等贯穿孔之该导磁元件向上推,进而使二该导磁元件分离,或分别旋出螺丝,使具该等贯穿孔之该导磁元件向下推,进而使二该导磁元件结合。8.如申请专利范围第7项所述之流体磁化器,其中,该凹槽系为长形凹槽。9.如申请专利范围第1项所述之流体磁化器,其中,垂直该容置空间中心点磁束方向之两侧磁铁的极性排列方向相反。图式简单说明:第1图为先前技术之横切面结构剖视图。第2图为本创作之横切面结构剖视图。第3图至第7图为本创作之横切面磁铁及导磁轭铁设置示意图。第8图至第11图为本创作之纵切面磁铁及导磁轭铁设置示意图。第12图为本创作之二导磁元件设置螺丝及垫片之侧面结构剖视图。第13图为先前技术之中空管体的磁束密度分布图。第14图为本创作之中空管体的磁束密度分布图。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区光复南路39号